載體芯片（Chip on Carrier）通過與客戶的密切合作，Albis開發(fā)了復(fù)雜的裝配解決方案，可滿足對(duì)準(zhǔn)精度、帶寬和布局復(fù)雜性方面的嚴(yán)格要求。Albis雪崩和pin光電二極管產(chǎn)品組合現(xiàn)在可以作為倒裝芯片安裝或引線鍵合器件在定制的2D或3D（環(huán)繞式）載體上提供。
PS-系列 ： p-i-n Photodiodes - Chip on Carrier
APS系列： APD - Chip on Carrier
品 牌： Albisopto
光電二極管芯片COC （ Chip on Carrier）
通過與客戶的密切合作，Albis開發(fā)了復(fù)雜的裝配解決方案，可滿足對(duì)準(zhǔn)精度、帶寬和布局復(fù)雜性方面的嚴(yán)格要求。Albis雪崩和pin光電二極管產(chǎn)品組合現(xiàn)在可以作為倒裝芯片安裝或引線鍵合器件在定制的2D或3D（環(huán)繞式）載體上提供。
PIN光電二極管芯片COC （ Chip on Carrier）
集成透鏡的112 Gbaud光電二極管芯片|PS60X1
PS60X1是一個(gè)112 Gbaud光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。
帶有集成背面透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)112 Gbd PAM-4（400GbE和800GbE）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以及測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 它在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。
集成鏡頭的56 Gbaud光電二極管 | PS40X1
PS40X1是一個(gè)56 Gbaud光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。
帶有集成背面透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以及測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 它在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。
集成透鏡的400G光電二極管陣列 | PS40X4
多個(gè)56 Gbaud光電二極管芯片（多通道56 Gbaud光電二極管芯片）倒裝焊接到金屬化陶瓷載體上的組裝，具有共面G-S-G接觸布局和750 μm的通道間距。 所有光電二極管都以高精度定位。
底部照明InGaAs引腳光電二極管結(jié)構(gòu)與集成背側(cè)透鏡針對(duì)高達(dá)56 Gbd PAM-4（400GBASE-DR4和400G-FR4）單模電信、微波光子鏈路、光纖射頻以及測(cè)試和測(cè)量應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化.它在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。
集成透鏡的28 Gb/s光電二極管芯片| PS20X1
PS20X1是一個(gè)28 Gb/s光電二極管芯片倒裝芯片的組件，該芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。
帶有集成背面透鏡的底部照明InGaAs p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)高達(dá)28 Gb/s的數(shù)據(jù)和電信應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，并在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供了出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。 光電二極管具有低電容并在低偏置電壓下實(shí)現(xiàn)全速。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。
集成透鏡28 Gb/s光電二極管陣列 | PS20Xn
PS20Xn是多個(gè)PD20X1光電二極管芯片的組件，倒裝芯片焊接到具有共面接觸布局的金屬化陶瓷載體上。 所有光電二極管都相對(duì)于對(duì)準(zhǔn)特征進(jìn)行了高精度定位，以保證±10 μm的芯片到芯片對(duì)準(zhǔn)。
PD20X1是一款I(lǐng)nGaAs/InP超高速光電二極管芯片，帶有集成背面透鏡。 底部照明p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)高達(dá)28 Gb/s的數(shù)據(jù)和電信應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，并在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。 光電二極管具有低電容并在低偏置電壓下實(shí)現(xiàn)全速。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。
8 Gb/s光電二極管芯片| PS05F1
PS05F1是安裝在陶瓷載體上的單個(gè)環(huán)繞式托架上 PD10F1光電二極管芯片的組件，帶有用于陽(yáng)極和陰極連接的環(huán)繞式金屬焊盤。
PD10F1是一款I(lǐng)nGaAs/InP高速光電二極管芯片，具有雙焊盤布局和大光學(xué)孔徑。 頂部照明光電二極管針對(duì)高達(dá)12 Gb/s的單模數(shù)據(jù)和電信應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，并在1260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。 在整個(gè)波長(zhǎng)范圍內(nèi)，增透膜具有低反射率和高回波損耗。 光電二極管經(jīng)過優(yōu)化，可在大有源面積和低電容之間實(shí)現(xiàn)最佳平衡，并在低偏置電壓下實(shí)現(xiàn)全速。
4通道倒裝芯片焊接監(jiān)控光電二極管陣列 |PS05J4
四個(gè)InGaAs/InP底部照明光電二極管芯片的單片陣列，具有以標(biāo)準(zhǔn)250 μm間距分隔的大光學(xué)孔徑。 底部照明p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)高達(dá)2.5 Gb/s的數(shù)據(jù)和電信中的低速監(jiān)控應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 它們?cè)?260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。
底部照明的4通道光電二極管陣列倒裝焊接在具有環(huán)繞金屬化的陶瓷底座上。
8通道倒裝焊接平衡光電二極管陣列 | PS05J8
八個(gè)InGaAs/InP底部照明光電二極管的單片陣列，具有120 μm的大光學(xué)孔徑，間距為300 μm。 底部照明p-i-n光電二極管結(jié)構(gòu)針對(duì)高達(dá)2.5 Gb/s的數(shù)據(jù)和電信中的低速監(jiān)控應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。 它們?cè)?260至1620 nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)提供出色的響應(yīng)度和高速響應(yīng)。
底部照明的8通道光電二極管陣列倒裝焊接在具有環(huán)繞金屬化的陶瓷底座上。 導(dǎo)線設(shè)計(jì)用于使用四對(duì)光電二極管進(jìn)行平衡檢測(cè)。
APD光電二極管芯片COC（ Chip on Carrier）
集成透鏡28 Gb/s雪崩光電二極管芯片| APD20D1
APD20D1是底部照明的28 Gb/s雪崩光電二極管(APD)芯片，帶有集成背面透鏡。 這種創(chuàng)新的APD提供低噪聲倍增和高增益帶寬產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)高靈敏度28G接收器的設(shè)計(jì)。 典型應(yīng)用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。
APD倒裝焊接在金屬化陶瓷載體上，具有共面GSG或Y形接觸焊盤布局。 大焊盤允許放置多個(gè)鍵。
集成透鏡的25 Gb/s雪崩光電二極管芯片|APD20B1/C1
底部照明的25 Gb/s雪崩光電二極管(APD)芯片，集成背面透鏡安裝在陶瓷載體上。 這種創(chuàng)新的APD提供低噪聲倍增和高增益帶寬產(chǎn)品，可實(shí)現(xiàn)高靈敏度25G接收器的設(shè)計(jì)。 典型應(yīng)用包括28 Gbaud PAM-4、100GBASE-ER4和25G EPON。
集成的背面透鏡將入射光束聚焦在頂部檢測(cè)區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單高效的光耦合。
APD倒裝焊接在金屬化陶瓷基板上，具有T形、共面GSG或Y形觸點(diǎn)布局。 大焊盤允許放置多個(gè)鍵。
| p-i-n Photodiodes - Chip on Carrier | ||||
| Product | Speed | Channels | Carrier Type | 產(chǎn)品資料 |
| PS60X1 | 112 Gbaud | 1 | ceramic submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| PS40X1 | 56 Gbaud | 1 | ceramic submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| PS40X4 | 56 Gbaud | multiple | ceramic submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| PS20X1 | 28 Gb/s | 1 | ceramic submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| PS20Xn | 28 Gb/s | multiple | ceramic submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| PS05F1 | 10 Gb/s | 1 | wrap-around submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| PS05J4 | 2.5 Gb/s | 4 | wrap-around submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| PS05J8 | 2.5 Gb/s | 8 | wrap-around submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| APD - Chip on Carrier | ||||
| Product | Speed | Channels | Carrier Type | 產(chǎn)品資料 |
| APS20D1 | 28 Gb/s | 1 | ceramic submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| APS20B1/C1 | 25 Gb/s | 1 | ceramic submount | 聯(lián)系leyu集團(tuán)光電 |
| 更多產(chǎn)品詳情、需求信息，聯(lián)系蘇州leyu集團(tuán)光電科技有限公司相關(guān)銷售人員獲取。 | ||||
